250 GB SSD NVMe SERIE 970 EVO M.2 PCIe SAMSUNG

119,53

250GB/ Lect:3400MB/s – Esc.1500MB/s

Agotado

SKU: 25488 Categorías: , , Etiqueta:

Descripción

Características:. El SSD que va más lejos.. Prepárate para vivir una experiencia PC de última generación. El SSD 970 EVO te ofrece unas velocidades de lectura y escritura sorprendentemente rápidas, una fiabilidad líder en el mercado. La última tecnología V-NAND, la nueva controladora Phoenix y tecnología Intelligent TurboWrite con las que disfrutarás al máximo de los juegos de alta gama y la edición gráfica 3D y 4K.. Un nuevo nivel de velocidad.. Siente la diferencia con la interfaz NVMe. El SSD 970 EVO cambiará la forma en la que vives tu juegos de alta gama y agilizará la reproducción gráfica gracias a su nueva controladora Phoenix y la tecnología Intelligent TurboWrite. Disfruta de increíbles velocidades de lectura/escritura, hasta un 32% más rápido que en el modelo anterior.. Diseño flexible.. Lo último en SSD NVMe. El modelo 970 EVO cuenta con un formato compacto M.2. (2280), ofreciéndote un increíble almacenamiento en muy poco espacio para que puedes utilizar otros componentes. Toda la capacidad que necesitas para hacer más y llegar más lejos.. Excepcionalmente resistente.. Un nuevo estándar en rendimiento y durabilidad. Consigue así un rendimiento un 50% superior al modelo anterior, y además con la última tecnología V-NAND.. Fiabilidad sin precedentes.. Consigue un nivel de fiabilidad sin precedentes. La avanzada controladora con revestimiento de níquel, junto con su disipador, consiguen una mejor disipación del calor. Además, la tecnología Dynamic Thermal Guard controla de forma automática la temperatura de la unidad, minimizando así los descensos en el rendimiento ocasionados por el sobrecalentamiento.. Especificaciones:. Capacidad: 250GB. Formato: M.2 (2280). Interfaz: PCIe Gen 3.0 x4, NVMe 1.3. Dimensiones: 80.15 x 22.15 x 2.38 (mm). Peso: Máx 8.0 g de peso. Memoria de almacenamiento: Samsung V-NAND 3-bit MLC. Controller: Control Samsung Phoenix. Memoria caché: Samsung 512MB Low Power DDR4 SDRAM. Lectura secuencial: Hasta 3,400 MB/s. Escritura secuencial: Hasta 1,500 MB/s

  • CAPACIDAD: 250 GB
  • INTERFACE: PCIe 3.0
  • LEER/ESCRIBIR SECUENCIAL: 3400MB/s / 1500MB/s
  • Cod. int.: 25488
  • Ref. fab.: MZ-V7E250BW
  • Cod. int.fab.: 1011
  • EAN: 8801643205386

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SAMSUNG

Información adicional

Peso 0.2 kg